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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS61LV25616AL-10TLI-TR |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25WD020-JNLE-TR |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V416VL15PHG8 |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT71P73804S167BQ |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - DDR2|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S34ML02G100TFI000 |
Storage |
48-TSOP |
散裝 |
FLASH, 256MX8, 25NS, PDSO48 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V67703S80BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V67803S166PFG |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
散裝 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT24C64AW-10SI-2.7 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WV102416EBLL-45BLI |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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