Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 24LC08BT-E/SN16KVAO MSL 24LC08BT-E/SN16KVAO Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CAT93C66LI-G MSL CAT93C66LI-G Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C128C-XPD-T MSL AT24C128C-XPD-T Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT62F768M64D4CZ-023 FAAT:C TR MSL MT62F768M64D4CZ-023 FAAT:C TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 48GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL THGBMHG6C1LBAW6 MSL THGBMHG6C1LBAW6 Storage 153-WFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 64GBIT EMMC 153WFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL EDW2032BBBG-50-F-D MSL EDW2032BBBG-50-F-D Storage 170-FBGA(12x14) 託盤 IC RAM 2GBIT PAR 1.25GHZ 170FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.25 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.65V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR MSL MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C TR MSL MT62F1G64D4CZ-023 AIT:C TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT VFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR MSL MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR Storage 134-FBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1470V25-200BZIT MSL CY7C1470V25-200BZIT Storage 165-FBGA(15x17) 卷帶(TR) IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields