Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25Q32JVSSJM MSL W25Q32JVSSJM Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M29W128GL70ZA6F TR MSL M29W128GL70ZA6F TR Storage 64-TBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8,8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16400N-6BLI-TR MSL IS42S16400N-6BLI-TR Storage 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS1C512K16PL-70BINTR MSL AS1C512K16PL-70BINTR Storage 48-FBGA(6x7) 卷帶(TR) IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV12816DBLL-10BLI-TR MSL IS61WV12816DBLL-10BLI-TR Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DB161E-SHFHC-T MSL AT45DB161E-SHFHC-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:528 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS25LX128-JHLE-TR MSL IS25LX128-JHLE-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/OCT 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W74M25JVZEIQ TR MSL W74M25JVZEIQ TR Storage 8-WSON(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66AP6NBUAGJ TR MSL W66AP6NBUAGJ TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL AS4C4M32SA-7TCNTR MSL AS4C4M32SA-7TCNTR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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