Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 34AA04-I/ST MSL 34AA04-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:350 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL UPD44325362BF5-E40-FQ1 MSL UPD44325362BF5-E40-FQ1 Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT28C64-25TI MSL AT28C64-25TI Storage 28-TSOP 託盤 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 MSL IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24LC014HT-E/SN MSL 24LC014HT-E/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS61LV256AL-10TLI MSL IS61LV256AL-10TLI Storage 28-TSOP I 託盤 IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MB85RC1MTPNF-G-AME2 MSL MB85RC1MTPNF-G-AME2 Storage - 管件 1Mbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S29GL128S11DHIV10 MSL S29GL128S11DHIV10 Storage 64-FBGA(9x9) 託盤 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1570KV18-450BZXC MSL CY7C1570KV18-450BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53E256M32D1KS-046 IT:L MSL MT53E256M32D1KS-046 IT:L Storage 200-VFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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