Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL BR24G512F-5AE2 MSL BR24G512F-5AE2 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT I2C 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1415AV18-200BZC MSL CY7C1415AV18-200BZC Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1550KV18-400BZXI MSL CY7C1550KV18-400BZXI Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL512T11DHIV13 MSL S29GL512T11DHIV13 Storage 64-FBGA(9x9) 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR MSL IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24LC16BT-E/ST MSL 24LC16BT-E/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IDT71V416VL15PHI8 MSL IDT71V416VL15PHI8 Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71P73804S200BQ MSL IDT71P73804S200BQ Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - DDR2|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.88 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53E512M32D1Z42MWC1 MSL MT53E512M32D1Z42MWC1 Storage 模具 盒 IC DRAM 16GBIT PAR DIE 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY62167GE30-45BV1XIT MSL CY62167GE30-45BV1XIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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