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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS43LR32320B-6BL-TR |
Storage |
90-LFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90LFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CAT24C164VP2IGT3 |
Storage |
8-TDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MTFC32GASAONS-AIT TR |
Storage |
153-TFBGA(11.5x13) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256GBIT UFS2.1 153TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:UFS2.1|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL S29GL512P10FAIR12 |
Storage |
64-FBGA(11x13) |
卷帶(TR) |
FLASH, 512MX1, 100NS, PBGA64 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24C16-FMB5TG |
Storage |
8-UFDFPN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8UFDFPN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49BV001-90TI |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL S26KS256SDGBHV030A |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
散裝 |
IC FLASH 256MBIT PAR 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL SST39WF800B-70-4C-B3KE |
Storage |
48-TFBGA |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:40µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24FC512T-I/ST14 |
Storage |
14-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT I2C 14TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M29W400DB70N6T TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8,256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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