Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT24C01A-10TU-2.7 MSL AT24C01A-10TU-2.7 Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C56XI MSL CAT93C56XI Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NM93C46AVM8 MSL NM93C46AVM8 Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL UPD48576236F1-E18-DW1-A MSL UPD48576236F1-E18-DW1-A Storage 144-TFBGA(11x18.5) 散裝 IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:LLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:300 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MR4A16BMA35R MSL MR4A16BMA35R Storage 48-FBGA(10x10) 卷帶(TR) IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25LC080BT-E/SN MSL 25LC080BT-E/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S29GL01GT10FHI013 MSL S29GL01GT10FHI013 Storage 64-FBGA(13x11) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C146-30NC MSL CY7C146-30NC Storage 52-PQFP(10x10) 散裝 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C25442KV18-300BZI MSL CY7C25442KV18-300BZI Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 QDR SRAM, 2MX36, 0.45NS PBGA165 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1366S-166BGC MSL CY7C1366S-166BGC Storage 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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