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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR MSL MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR MSL MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR Storage 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 70T3319S133BFGI8 MSL 70T3319S133BFGI8 Storage 208-CABGA(15x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V3599S166BFG8 MSL 70V3599S166BFG8 Storage 208-CABGA(15x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G08ABDHC:D TR MSL MT29F2G08ABDHC:D TR Storage 63-VFBGA(10.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CAT24C44LI MSL CAT24C44LI Storage 8-PDIP 管件 IC NVSRAM 256BIT SPI 1MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256 比特|記憶體組織:16 x 16|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CYD04S72V-133BBI MSL CYD04S72V-133BBI Storage 484-FBGA(23x23) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 484FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:64K x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K1G16DGA-125:A TR MSL MT41K1G16DGA-125:A TR Storage 96-FBGA(9.5x14) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:16Gb|記憶體組織:1G x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL GS81282Z18GD-333I MSL GS81282Z18GD-333I Storage 165-FPBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:144Mb|記憶體組織:8M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
MSL CAT25128VE-GT3 MSL CAT25128VE-GT3 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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