| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL S29GL512S10DHI010 |
Storage |
- |
散裝 |
S29GL512S - 512-Mbit (64 Mbyte), |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
|
 |
MSL CY62157DV30LL-55ZSXI |
Storage |
44-TSOP II |
袋 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 7130LA25PFGI8 |
Storage |
64-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL MT48LC8M16LFF4-79M IT:G |
Storage |
54-VFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL AT24C128N-10SU-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL SM662PXC-BEST |
Storage |
100-BGA(14x18) |
散裝 |
IC FLASH 512GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
|
 |
MSL IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 8MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:2M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL AT25DN256-MAHF-Y |
Storage |
8-UDFN(2x3) |
託盤 |
IC FLASH 256KBIT SPI 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,1.79ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL AT49BV001NT-90TI |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL CY7C1357B-117AI |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
散裝 |
IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|