Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F2T08EMLKEM4-M:K MSL MT29F2T08EMLKEM4-M:K Storage - 託盤 IC FLASH 2TBIT VBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT29F16G08ADACAH4:C TR MSL MT29F16G08ADACAH4:C TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 16GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08CFABAWP-IT:B MSL MT29F128G08CFABAWP-IT:B Storage 48-TSOP I 管件 IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F8G08ADBDAH4:D TR MSL MT29F8G08ADBDAH4:D TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M29W400DB45ZE6E MSL M29W400DB45ZE6E Storage 48-TFBGA(6x9) 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8,256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT49H32M18FM-33:B TR MSL MT49H32M18FM-33:B TR Storage 144-µBGA(18.5x11) 卷帶(TR) IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1565KV18-400BZXC MSL CY7C1565KV18-400BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G08ABDHC-ET:D TR MSL MT29F2G08ABDHC-ET:D TR Storage 63-VFBGA(10.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT24C44VI MSL CAT24C44VI Storage 8-SOIC 管件 IC NVSRAM 256BIT SPI 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256 比特|記憶體組織:16 x 16|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR MSL MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR Storage 132-VBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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