Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT28HC256-70SI MSL AT28HC256-70SI Storage 28-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 24FC128-I/SM MSL 24FC128-I/SM Storage 8-SOIJ 管件 IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M30042040054X0ISAY MSL M30042040054X0ISAY Storage 8-SOIC 託盤 IC RAM 4MBIT 54MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:1M x 4|記憶體介面:-|時鐘頻率:54 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL SST25VF020B-80-4I-SAE-T MSL SST25VF020B-80-4I-SAE-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E256M16D1FW-046 AAT:B MSL MT53E256M16D1FW-046 AAT:B Storage 200-TFBGA(10x14.5) 盒 IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL AT25XE041B-UUN-T MSL AT25XE041B-UUN-T Storage 8-WLCSP(1.63x1.58) 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,2.79ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL GD25UF64EQIGR MSL GD25UF64EQIGR Storage 8-USON(4x4) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25D05CTIGR MSL GD25D05CTIGR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 512KBIT SPI/DUAL 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1312BV18-200BZXC MSL CY7C1312BV18-200BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S32400J-6TLI-TR MSL IS42S32400J-6TLI-TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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