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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MX29GL640ELXFI-70G |
Storage |
64-LFBGA,CSP(11x13) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S-25C010A0H-J8T2UD |
Storage |
8-SOP-J |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT SPI 8SOP-J |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:6.5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 25LC1024T-E/MF |
Storage |
8-DFN-S(6x5) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS46TR16640C-125JBLA2 |
Storage |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL CY15B102QN-50SXET |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FRAM 2MBIT SPI 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR |
Storage |
152-VFBGA(14x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 152VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT93C46-SQ27Q1 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S-25C080A0I-T8T1G |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FM24C128MW8 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GD55X01GEFIRR |
Storage |
16-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/OCT |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - Octal I/O,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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