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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT48LC4M16A2B4-7E:G TR MSL MT48LC4M16A2B4-7E:G TR Storage 54-VFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY14MB064Q2A-SXQT MSL CY14MB064Q2A-SXQT Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 11LC161-E/MS MSL 11LC161-E/MS Storage 8-MSOP 管件 IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AS7C316098A-10BIN MSL AS7C316098A-10BIN Storage 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N08GWBIBA MSL W29N08GWBIBA Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 8GBIT PAR 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns,700µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62177DV30L-70BAI MSL CY62177DV30L-70BAI Storage 48-FBGA(8x9.5) 散裝 IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SM662GBB-BEST MSL SM662GBB-BEST Storage 100-BGA(14x18) 託盤 IC FLASH 256GBIT EMMC 100BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL 93C66B-E/ST MSL 93C66B-E/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS46LQ32256AL-062BLA1 MSL IS46LQ32256AL-062BLA1 Storage 200-TFBGA(10x14.5) 散裝 IC DRAM 8GBIT LVSTL 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL CY14ME064Q1A-SXI MSL CY14ME064Q1A-SXI Storage 8-SOIC 散裝 IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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