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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS34ML08G168-BLI-TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
8 GB (X16, 8BIT ECC), 64 BALL VF |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns,700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62137CVSL-70BAXI |
Storage |
48-FBGA(7x7) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25UF64ELIGR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CAT25020ZI-G |
Storage |
8-MSOP |
散裝 |
IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1370DV25-167BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS7C1025B-12JCN |
Storage |
32-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25XE041B-MHNHR-Y |
Storage |
8-UDFN(5x6) |
託盤 |
4 MBIT, ULTRA WIDE VCC (1.65V TO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12µs,3.79ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS43LQ16256A-062TBLI |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 23LC1024T-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1414KV18-300BZXI |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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