Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S29GL256S90DHSS20 MSL S29GL256S90DHSS20 Storage 64-FBGA(9x9) 託盤 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1334-50AC MSL CY7C1334-50AC Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MF28F008-10 MSL MF28F008-10 Storage - 散裝 FLASH, 1MX8, 100NS, CDFP42 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT24C128W-10SC-1.8 MSL AT24C128W-10SC-1.8 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S16320D-6BLI MSL IS42S16320D-6BLI Storage 54-TW-BGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61NLP12836B-200TQLI MSL IS61NLP12836B-200TQLI Storage 100-LQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC010AT-I/MS MSL 25LC010AT-I/MS Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32800B-7TL-TR MSL IS42S32800B-7TL-TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C32M16SB-7TCNTR MSL AS4C32M16SB-7TCNTR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1355S-133BGC MSL CY7C1355S-133BGC Storage 119-PBGA(14x22) 袋 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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