Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IDT71V3556S166PFI MSL IDT71V3556S166PFI Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL THGBMHG7C2LBAW7 MSL THGBMHG7C2LBAW7 Storage 153-WFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 153WFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IDT71V3557SA85BQGI MSL IDT71V3557SA85BQGI Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F256G08CJABAWP-IT:B MSL MT29F256G08CJABAWP-IT:B Storage 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70T3319S166BC8 MSL 70T3319S166BC8 Storage 256-CABGA(17x17) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR MSL MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H256M8THN-3:H TR MSL MT47H256M8THN-3:H TR Storage 63-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL RM25C512C-LSNI-B MSL RM25C512C-LSNI-B Storage 8-SOIC 管件 IC CBRAM 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:128 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z TR MSL MT30AZZZEDB0TPEQ-031 WN.20Z TR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH RAM 4TBIT LFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:4Tb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS46TR85120BL-125KBLA1 MSL IS46TR85120BL-125KBLA1 Storage 78-TWBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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