| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL IDT71V3558SA133BQ8 |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 70T3319S166BF8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR |
Storage |
100-LBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MT47H32M16HR-187E:G TR |
Storage |
84-FBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:350 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL RM25C512C-LTAI-B |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC CBRAM 512KBIT SPI 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:128 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL EDB8132B4PB-8D-F-D |
Storage |
168-FBGA(12x12) |
散裝 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL MTFC256GAVATTC-AAT TR |
Storage |
153-LFBGA(11.5x13) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2TBIT UFS |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:UFS|時鐘頻率:38.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
|
 |
MSL 70T659S15BC |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL GS81280Z18GT-333I |
Storage |
100-TQFP(20x14) |
託盤 |
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:144Mb|記憶體組織:8M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
|
 |
MSL MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT 933MHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
|