Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CAT93C46LI-G MSL CAT93C46LI-G Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DB081D-MU-2.5-SL383 MSL AT45DB081D-MU-2.5-SL383 Storage 8-VDFN(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8VDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:264 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CYD36S72V18-200BGXC MSL CYD36S72V18-200BGXC Storage 484-PBGA(27x27) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:36Mb|記憶體組織:512K x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY62126ESL-45ZSXIT MSL CY62126ESL-45ZSXIT Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1520KV18-300BZC MSL CY7C1520KV18-300BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT45DB641E-CCUN2B-T MSL AT45DB641E-CCUN2B-T Storage 9-UBGA(6x6) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 9UBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:256 位元組 x 32K 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53B384M32D2DS-062 XT:B MSL MT53B384M32D2DS-062 XT:B Storage 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)
MSL IS39LV040-70JCE MSL IS39LV040-70JCE Storage 32-PLCC(11.43x13.97) 管件 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS42S16100F-7BL MSL IS42S16100F-7BL Storage 60-TFBGA(6.4x10.1) 託盤 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S32160C-6BI-TR MSL IS42S32160C-6BI-TR Storage 90-WBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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