Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CYD18S72V-100BBI MSL CYD18S72V-100BBI Storage 484-FBGA(23x23) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 484FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:18Mb|記憶體組織:256K x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA16T-E/ST MSL 24AA16T-E/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 71V67603S133BQG MSL 71V67603S133BQG Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V67703S85BG MSL 71V67703S85BG Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 9MBIT PAR 87MHZ 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:87 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR MSL MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR Storage 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:2G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CG7811AA MSL CG7811AA Storage - 散裝 CG7811AA - DUAL PORT SRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FL128SAGNFV001 MSL S25FL128SAGNFV001 Storage 8-WSON(6x8) 管件 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 71V67603S133BGGI8 MSL 71V67603S133BGGI8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS45S32400B-7TLA1-TR MSL IS45S32400B-7TLA1-TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL064S80TFV040 MSL S29GL064S80TFV040 Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields