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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT48LC2M32B2TG-7:G TR MSL MT48LC2M32B2TG-7:G TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24CS256T-E/SN66KVAO MSL 24CS256T-E/SN66KVAO Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS46TR16640A-15GBLA2-TR MSL IS46TR16640A-15GBLA2-TR Storage 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IS49RL36160-107BLI MSL IS49RL36160-107BLI Storage 168-FBGA(13.5x13.5) 託盤 IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V24S20PFI8 MSL 70V24S20PFI8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RM24EP128A-BSNC-T MSL RM24EP128A-BSNC-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:64 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT47H64M16HR-3:H MSL MT47H64M16HR-3:H Storage 84-FBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL MT29F64G08AEAAAC5-IT:A MSL MT29F64G08AEAAAC5-IT:A Storage 52-VLGA(18x14) 管件 IC FLASH 64GBIT PARALLEL 52VLGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V27S55PFI MSL 70V27S55PFI Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR MSL MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR Storage 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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