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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT45DQ321-CCUF-T MSL AT45DQ321-CCUF-T Storage 9-UBGA(6x6) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 9UBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1019DV33-10BVXIT MSL CY7C1019DV33-10BVXIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDL56PFJ-8KET MSL NDL56PFJ-8KET Storage 96-FBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AT27LV256A-55RC MSL AT27LV256A-55RC Storage 28-SOIC 管件 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL AT27BV512-70RC MSL AT27BV512-70RC Storage 28-SOIC 管件 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 71256SA20TPG MSL 71256SA20TPG Storage 28-PDIP 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V016SA15BFGI8 MSL 71V016SA15BFGI8 Storage 48-CABGA(7x7) 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL064N90BFI040 MSL S29GL064N90BFI040 Storage 48-FBGA(8.15x6.15) 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32200L-6BLI-TR MSL IS42S32200L-6BLI-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C2M32D1A-5BCNTR MSL AS4C2M32D1A-5BCNTR Storage 144-LFBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PARALLEL 144LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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