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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL RMWV3216AGBG-5S2#KC0 MSL RMWV3216AGBG-5S2#KC0 Storage 48-TFBGA(7.5x8.5) 卷帶(TR) IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93C46X/SN MSL 93C46X/SN Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT45DB321C-CNU MSL AT45DB321C-CNU Storage 8-CASON(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT SPI 40MHZ 8CASON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL UPD44325364BF5-E40-FQ1 MSL UPD44325364BF5-E40-FQ1 Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48H32M16LFB4-6 IT:C MSL MT48H32M16LFB4-6 IT:C Storage 54-VFBGA(8x8) 散裝 IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1413JV18-300BZXC MSL CY7C1413JV18-300BZXC Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N04GZBIBF MSL W29N04GZBIBF Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 4G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns,700µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD55LX01GEBIRY MSL GD55LX01GEBIRY Storage 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/OCT 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - Octal I/O,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C64M32MD2A-25BINTR MSL AS4C64M32MD2A-25BINTR Storage 134-FBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1021BV33-10VC MSL CY7C1021BV33-10VC Storage 44-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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