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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL R1EX24256BSAS0A#U0 |
Storage |
8-SOP |
散裝 |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS7C32096A-15TCN |
Storage |
44-TSOP2 |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43R16320F-6BL-TR |
Storage |
60-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43QR16512A-083TBLI |
Storage |
96-TWBGA(10x14) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 25LC020AT-I/ST |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49F1614T-90TC |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL 24LC024HT-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V67602S150BGG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V65603S150BQGI |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43DR16320D-3DBLI-TR |
Storage |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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