Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL R1EX24256BSAS0A#U0 MSL R1EX24256BSAS0A#U0 Storage 8-SOP 散裝 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS7C32096A-15TCN MSL AS7C32096A-15TCN Storage 44-TSOP2 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43R16320F-6BL-TR MSL IS43R16320F-6BL-TR Storage 60-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43QR16512A-083TBLI MSL IS43QR16512A-083TBLI Storage 96-TWBGA(10x14) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL 25LC020AT-I/ST MSL 25LC020AT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49F1614T-90TC MSL AT49F1614T-90TC Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 24LC024HT-I/SN MSL 24LC024HT-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V67602S150BGG MSL 71V67602S150BGG Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V65603S150BQGI MSL 71V65603S150BQGI Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43DR16320D-3DBLI-TR MSL IS43DR16320D-3DBLI-TR Storage 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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