Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS4C128M16D3-12BAN MSL AS4C128M16D3-12BAN Storage 96-FBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL 7007S55J MSL 7007S55J Storage 68-PLCC(24.21x24.21) 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1568KV18-400BZXI MSL CY7C1568KV18-400BZXI Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q128A11B1240F TR MSL N25Q128A11B1240F TR Storage 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7025L17G MSL 7025L17G Storage 84-PGA(27.94x27.94) 託盤 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:17ns|訪問時間:17 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EA2M-SUD8A1G MSL EA2M-SUD8A1G Storage 8-WLCSP(3.12x2.04) 散裝 IC EEPROM 2MBIT SPI 8WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:79 ns|電壓 - 供電:1.6V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CG9198AM MSL CG9198AM Storage - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT48LC32M16A2TG-79:C TR MSL MT48LC32M16A2TG-79:C TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53B128M32D1DT-053 IT:A TR MSL MT53B128M32D1DT-053 IT:A TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS49FL004T-33JCE MSL IS49FL004T-33JCE Storage 32-PLCC(11.43x13.97) 管件 IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)

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