| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL AT45DB081D-SU |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:264 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL 71T79902S79PFGI |
Storage |
100-TQFP |
管件 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL S29GL01GS10FHI013 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL AT24C01B-TH-B |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 71T79802S200BG8 |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MD2148H3 |
Storage |
18-CDIP |
散裝 |
IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Kb|記憶體組織:1K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TC) |
|
 |
MSL GD25VE20CEIGR |
Storage |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.1V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 7025L55G |
Storage |
84-PGA(27.94x27.94) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MT42L128M64D2LL-18 WT:A |
Storage |
216-FBGA(12x12) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL W632GG6KB-12 |
Storage |
96-WBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT 96-WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
|